Cree - 1200 13

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Yole Developpement ( licenza utente Multi ) . 3490 : 2.015.219 CREE SemiconductorCAS120M12BM2138A ( 90C ) ( 13m ) 1200VCAS120M12BM21023A ( 90C ) 122SiC ( ) Analisi MOSFET4.824x Z - Recz - Rec CAS120M12BM2 fisica analisi fisiche Metodologia della confezione Visto Dimensioni Die View , Dimensioni Marcatura Guardia Anello sezione trasversale Porta di substrato e strati epitassia , Backside MOSFET Caratteristiche di confronto prima e seconda generazione Die Vista , Dimensioni marcatura Guardia Anello , Cross - Section substrato e strati epitassia Backside Unità diodi Caratteristiche processo di produzione fine flusso globale Panoramica MOSFET anteriore , test di unità a transistor processo Unità fine flusso Diode frontale , Process Flow diodo Process Power Module Flusso del processo flusso di sintesi delle analisi dei costi principali fasi di analisi economica rendimenti Hypothses MOSFET epitassia costo MOSFET Front-End costo MOSFET Wafer costo MOSFET costo per fasi di processo MOSFET . Back-end . Probe e